Спецификации RLDRAM II

Компании Infineon Technologies и Micron Technology опубликовали совместно разработанные спецификации нового типа памяти DRAM II с пониженным временем задержки (RLDRAM II). Этот тип памяти характерен высокой пропускной способностью и малым временем задержки при обращении по случайному адресу. Память RLDRAM II имеет восьмибанковую архитектуру, должна работать на тактовой частоте 400 МГц (честных, а не таких как у DDR) и обеспечивать пропускную способность 28.8 Гб/сек.

Кроме того, к особенностям RLDRAM II можно отнести способность работать в режимах мультиплексной и немультиплексной адресации, программируемый уровень выходного сопротивления и напряжение питания ядра 1.8 В.

Применять такую память планируется в системах высокоскоростного доступа к данным, коих можно не задумываясь перечислить огромное количество. Выпускать память будут в соответствии со стандартом FBGA (корпус микросхемы имеет размер 11х18.5 миллиметров). 

 

 

 

 


Copyright ©   "Mega-I-Zone"  LikNeo@Hotmail.ru
При использовании материалов с нашего журнала ссылка на наш сайт обязательна!